إذا سألتني ما هي التقنيات التي ينبغي العمل على تطويرها في الفترة القادمة، ستدور إجابتي حول تقنيات التخزين والبطارية، فالأولى لم تتغير منذ عام 1989 عند ابتكار تقنية NAND فلاش والأخيرة حتى الآن مازلنا نعاني بسببها في استخدام هواتفنا الذكية والأجهزة اللوحية ومؤخرًا الساعات الذكية.
مع بقاء تقنيات البطارية قيد الأبحاث والتطوير لدى أكثر من شركة تقنية وآخرهم سامسونج، كشفت إنتل وميكرون اليوم عن تقنية ذاكرة جديدة كليًا أطلقت عليها اسم 3D
XPoint ويُمكن استخدامها كذاكرة عشوائية للنظام أو كذاكرة تخزين تستبدل SSD الموجودة حاليًا.
طبقًا لإعلان الشركتين فإنّ ذاكرة 3D
XPoint سريعة للغاية ولديها قدرة هائلة على التحمُّل، فهي أسرع 1000 مرة «في قراءة وكتابة البيانات» من الذاكرة الموجودة حاليًا كما أنّها أعلى 10 مرات في الكثافة من ذاكرة NAND فلاش الموجودة حاليًا، ما يعني أنّه بالإمكان استغلال نفس المساحة الصلبة في سعة تخزين إضافية دون التأثير على استهلاك الطاقة أو وجود تكلفة إضافية.
طبقًا لنائب رئيس إنتل Rob Crooke فإنّ ذاكرة 3D
XPoint ستستخدم تقنية PCI Express كوسيلة اتصال بالحاسوب، مع التنويه إلى أنّ تقنيات PCIe الموجودة حاليًا غير متوافقة مع 3D XPoint، لذا ستُطور إنتل نفس التقنية لتكون قادرة على توصيل الذاكرة بالحاسوب في المستقبل.
في ماذا يفيدني هذا الإعلان؟ إذا كنت من هواة ممارسة ألعاب الفيديو من الحاسوب فإنّ الذاكرة الجديدة ستحسن من تجربة اللعب كثيرًا بفضل سرعة نقل البيانات العالية التي تتميز بها ذاكرة 3D XPoint.
إضافة رد
تعاون إنتل وميكرون لإنتاج ذاكرة 3D XPoint أسرع 1000 مرة 
إقتباس
